金沙電玩城 新型半導體材料領域取得重要進展
發(fā)布日期：2026-01-25 04:59 點擊次數(shù)：146
本報合肥電 (記者李俊杰)記者從中國科學技術大學獲悉：該校張樹辰特任教授團隊聯(lián)合中外學者，在新型半導體材料領域取得重要進展。團隊首次在二維離子型軟晶格材料中，實現(xiàn)了面內可編程、原子級平整的“馬賽克”式異質結的可控構筑，為未來高性能發(fā)光和集成器件的研發(fā)開辟了新路徑。相關成果近日在線發(fā)表于國際學術期刊《自然》。
在半導體領域，能夠在材料平面內橫向精準構建異質結構，是探索新奇物性、研發(fā)新型器件及推動器件微型化的關鍵。然而，以二維鹵化物鈣鈦礦為代表的離子型軟晶格半導體，金沙電玩城app其晶體結構柔軟且不穩(wěn)定，傳統(tǒng)光刻加工等技術往往因反應過于劇烈而破壞材料結構，難以實現(xiàn)高質量的橫向異質集成。如何在此類材料中實現(xiàn)高質量、可控外延的橫向異質結精密加工，是該領域面臨的難題。
面對這一挑戰(zhàn)，中國科大研究團隊創(chuàng)新性地提出并發(fā)展了一種引導晶體內應力“自刻蝕”方法，將不同種類的半導體材料精準回填，最終在單一晶片內部構筑出晶格連續(xù)、界面原子級平整的高質量“馬賽克”異質結。
《 》( 2026年01月24日 06 版)
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